顾书林
时间:2020-11-18 15:10来源:点击:970次
顾书林
男 1965 博导 教授
个人简历
学历
1995年7月1993年9月
南京大学物理系 理学博士
1990年7月1983年9月
南京大学 物理系微电子与固体电子学专业 学士与硕士
主要科研经历
至今2001年4月 南京大学物理系，教授
至今2002年4月 南京大学物理系，博导
2001年3月1996年4月 南京大学物理系，副教授
1998年7月-2000年5月 美国威斯康辛大学麦迪森分校 访问学者
1992年8月-1996年7月南京大学物理系，讲师
1992年7月南京大学物理系，助教1990年8月
研究方向
宽禁带半导体(氧化锌、氮化镓)薄膜材料的外延生长、表征及器件应用
主要课程
半导体器件物理
代表成果
• J.D. Ye, S.L. Gu, S. M. Zhu, S. M. Liu, Y. D. Zheng, R. Zhang,Y. Shi. Fermi-level band filling and band-gap renormalization in ga-doped zno. Applied Physics Letters 2005:86(19) 192111.
• W. Liu, S. L. Gu, J.D. Ye, S. M. Zhu, S. M. Liu, X. Zhou, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, Blue-yellow ZnO homostructural light-emitting diode realized by metalorganic chemical vapor deposition technique, Applied Physics Letters 88, 092101 (2006)
• J. D. Ye, S. L. Gu, S. M. Zhu, W. Liu, S. M. Liu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. D. Zheng, Electroluminescent and transport mechanisms of n-ZnO/p-Si heterojunctions, Applied Physics Letters 88, 182112 (2006)
• K. Tang, S. L. Gu, S. M. Zhu, J. G. Liu, H. Chtn, J. D. Ye, R. Zhang, Y. D. Zheng, Suppression of compensation from nitrogen and carbon related defects for p-type N-doped ZnO, APPLIED PHYSICS LETTERS, 95,192106,2009
• K. Tang, S. L. Gu, K. P. Wu, S. M. Zhu, J. D. Ye, R. Zhang, Y. D. Zheng, Tellurium assisted realization of p-type N-doped ZnO, APPLIED PHYSICS LETTERS, 96, 242101, 2010
联系方式
电话：83685485
邮件：slgu@nju.edu.cn
信箱：
办公地址：蒙民伟楼807室
