陈敦军
时间:2020-11-18 15:10来源:点击:449次
陈敦军
男 1969 博导 教授
个人简历
1987-2001年就读于西北工业大学材料科学与工程系，并获博士学位，现为南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师。2006年-2007年受哈佛大学GSAS资助在其工程与应用科学学院做邀请访问学者，2011年到瑞典皇家工学院做访问研究。2005年入选“教育部新世纪优秀人才计划”，2008年被评为南京大学中青年优秀学术带头人。主要承担了国家自然科学基金、国家863和973等项目课题研究。发表SCI论文100余篇，获教育部自然科学一等奖和科技发明一等奖各一项。担任Crystal Growth & Design，Applied Physics Letters，IEEE Electron Device Letters，Optics Express，IEEE Transactions on Electron Devices，Journal of Electronic Materials，Japanese Journal of Applied Physics，Chinese Physics Letter，Chinese Physics B等期刊审稿人。
研究方向
目前主要从事GaN基光电子探测器/传感器结构设计与器件工艺和物理、GaN基太阳电池材料与器件结构设计及器件制备、GaN基异质结构设计与表征及其微波功率器件可靠性、氮化物电力电子器件、新型低维半导体结构与器件等方面的研究。
主要课程
高等半导体，半导体光电子讲座
代表成果
• Shao ZG, Chen DJ*, Lu H, R Zhang R, Zheng YD, High-gain AlGaN solar-blind avalanche photodiodes, IEEE Electron Device Lett. 35: 372 (2014).
• Shao ZG, Chen DJ*, Liu YL, Lu H, R Zhang R, Zheng YD, Significant performance improvement in AlGaN solar-blind avalanche photodiodes by exploiting built-in polarization electric field, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 20: 3803306 (2014).
• Dong KX, Chen DJ*, Lu H, Zhang R, Zheng YD, Exploitation of Polarization in Back-Illuminated AlGaN Avalanche Photodiodes; IEEE Photonics Technology Letters 257: 2700 (2013).
• Zhang LL, Dong KX, Chen DJ*, Lu H, Zhang R, Zheng YD, Solar-blind ultraviolet AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors; Appl. Phys. Lett. 102: 242112 (2013).
• Dong KX, Chen DJ*, Liu B, Lu H, Chen P, Zhang R, Zheng YD, Characteristics of polarization-doped N-face Ⅲ-nitride light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 100:073507 (2012).
• Huang Y, Chen DJ*, Lu H, Zhang R, Zheng YD, Back illuminated separate absorption and multiplication AlGaN solar blind avalanche photodiodes, Appl. Phys. Lett. 101: 253516 (2012).
• Xue JJ, Chen DJ*, Liu B, Lu H, Zhang R, Zheng YD, Zhang JP, Xu K, Indium-rich InGaN epitaxial layers grown pseudomorphically on a nano-sculpted InGaN template, Optics Express 20: 8093 (2012).
• Xue JJ, Chen DJ*, Lu H, Zhang R, Zheng YD, Zhang, Improvements in Microstructure and Leakage Current of High-In-Content InGaN p-i-n Structure by Annealing, IEEE Photonics Technology Letters 24:1478 (2012).
• Huang Y，Chen DJ*, Lu H, Zhang R, Zheng YD, Li L, Chen C, Chen TS, Identifying Interface States in AlInN/GaN Heterostructure by Photocurrent Method，IEEE Electron Device Lett. 32:1071 (2011).
• Huang Y，Chen DJ*, H. Lu, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, Photocurrent Characteristics of Two Dimensional Electron Gas Based AlGaN/GaN Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors, Appl. Phys. Lett. 96:243503 (2010).
联系方式
电话：025-83685372
邮件：djchen@nju.edu.cn
信箱：南京大学电子科学与工程学院
办公地址：蒙民伟楼807
