生长碘化铅单晶体的方法及系统
时间:2016-05-17 09:23来源:西华大学点击:1142次
该技术为自主研发，已申请发明专利，受理号：201210397522.0，是对既有专利技术（ZL200610020393.8）的有效改进。
用碘化铅单晶体制作的X-射线探测器、γ-射线探测器可以在室温或更高的温度下工作，不需要液氮等冷却设施，可用于科学研究、医疗诊断、地质探测、太空探测以及冶金工程等领域。目前常用的高纯锗、锂漂移硅探测器需要在液氮温度下使用和保存，不仅费用高，而且探测效率较低。
本项目用分析纯的铅和碘为原料，在同一安瓿中完成原料合成与晶体生长工作。本项目用自主开发的上置籽晶垂直区域熔炼法生长晶体，不仅能够控制晶体的化学配比，还具有良好的提纯效果，所得单晶体的电阻率达到1012Ω·cm量级，可用于制造高能射线探测器。
